01 / 조성 + 입도 관리
고순도 실리카 분말
고순도 원료를 오염 관리된 미분쇄·분급 공정으로 가공합니다. 백색도나 공칭 입자 크기만이 아니라 전체 미량 원소 조성·입도분포로 제품 적합성을 검증합니다.
핵심 관리 · 불순물 조성 · D10/D50/D90 · 입도 분포의 조대 입자 영역 · 로트 간 균일성
고순도 · 구형 · 플라즈마 공정 나노
고순도·구형·나노 실리카.
고순도 원료·자체 분쇄 및 분급·열처리 또는 플라즈마 공정으로 세 가지 실리카 분말 제품군을 지원합니다. 조성·입도·형상을 용도에 맞춥니다.
제품 제조 방식3 제품군
구형 나노 입자 크기20 nm
나노 분말 원소 분석39 원소
핵심 입자 가공 설비제트밀 + 분급
통합 가공 역량
기존 분쇄의 한계를 넘어.
Jingui는 고순도 원료, 분쇄·분급 설비, 열처리·플라즈마 처리, 자체 분석을 결합해 세 가지 실리카 분말 제품군을 개발합니다.
02 / 형상 + 충전성
구형 실리카 분말
입자 형상 설계와 분급을 결합합니다. 고충전 전자 패키징·동박적층판 배합을 위해 구형도·다봉 입도분포·유동성·수지계 적합성을 함께 평가합니다.
핵심 관리 · 구형도 · 충전밀도 · 유동성 · 조대 입자 관리 · 표면 적합성
03 / 플라즈마 + 나노 구조
플라즈마 공정 나노 실리카 분말
자체 석영 자원에서 얻은 고순도 석영사를 플라즈마 고온 폭연법으로 입자 크기 20 nm·순도 99.9997%의 구형 실리카로 가공합니다.
20 nm 구형 실리카 · 순도 99.9997% · 물리적 제조 방식구형 분말 · 플라즈마 고온 폭연법
나노 실리카 분말
자체 석영 자원에서 가공한 고순도 석영사를 원료로 사용해, 물리적 제조 방식으로 입자 크기 20 nm·순도 99.9997%의 구형 실리카를 생산합니다. 원료 산지부터 분말 제조까지 연결해 대량 생산 시 원가 경쟁력을 확보합니다.
- SiO₂ 순도
- 99.9997%
- 구형 입자 크기
- 20nm
- BET 비표면적
- 204.8413m²/g
- 입자 크기 범위
- 15.9–41.97nm
석영 자원에서 나노 분말까지
고순도 석영사를 원료로 하는 물리적 제조 공정
플라즈마 고온 폭연법은 사염화규소의 화염 가수분해를 이용하는 기존 흄드 실리카 제조법과 다릅니다. 분말은 느슨하게 응집되어 있으며, 자료에 기재된 입자 크기 범위는 15.9–41.97 nm입니다.
- 01자체 석영 자원
- 02고순도 석영사
- 03플라즈마 고온 폭연법
- 04나노 실리카 분말
원소 분석
39종 원소 · ppb| 원소 | ppb | 원소 | ppb |
|---|---|---|---|
| Ag | 0.48 | K | 26.79 |
| Al | 218.44 | Li | 4.75 |
| As | <0.10 | Mg | 22.01 |
| Au | <0.10 | Mn | 0.82 |
| B | 39.18 | Mo | 0.67 |
| Ba | 15.87 | Na | 38.72 |
| Be | <0.10 | Nb | 0.22 |
| Bi | <0.10 | Ni | 1.75 |
| Ca | 129.36 | Pb | <0.10 |
| Cd | <0.10 | Sb | 0.33 |
| Ce | 0.15 | Sn | 1.05 |
| Co | 4.73 | Sr | 0.31 |
| Cr | 36.78 | Th | <0.10 |
| Cu | 13.24 | Ti | 76.34 |
| Fe | 159.01 | Tl | <0.10 |
| Ga | <0.10 | U | <0.10 |
| Ge | 0.79 | V | 0.36 |
| Hf | 0.20 | W | 48.83 |
| In | <0.10 | Zn | 3.52 |
| Zr | 5.56 |
회사 제공 대표 시료 데이터입니다. 수치·ppb 단위·“<0.10” 표기는 원본 표를 따릅니다.
자료에 기재된 구조·비표면적
회사 제공 대표 시료 데이터에 기재된 결정계·단위격자·계산 밀도 값입니다.
- 분말 형상
- 느슨하게 응집된 나노 분말
- 결정계
- 단사정계
- 단위격자 상수
- a = 18.52400 Å · b = 5.00320 Å · c = 23.81000 Å · β = 105.820°
- 단위격자 부피
- 2123.11 ų
- 계산 밀도
- 2.260 g/cm³
- 단일점 비표면적
- 198.8447 m²/gP/P₀ = 0.296115197
- Langmuir 비표면적
- 320.6499 m²/g
- BET 비표면적
- 204.8413 m²/g
적용 검토 분야
- 실리콘 봉지재용 필러
- 리튬 전지 양극 소재 개질
- 생체모사 로봇 피부
- 고속 통신용 동박적층판
- 포토레지스트
- 의료용 소재
- CMP 연마 슬러리
현재 월간 생산능력
상업 규모의 생산능력이 뒷받침하는 분말 기술.
고순도·구형 등급은 실리카 분말 플랫폼에서 개발하며, 플라즈마 공정 나노 제품은 전용 생산능력을 갖추고 있습니다.
실리카 분말
800톤 / 월
고순도·구형 등급 개발
나노 실리카 분말
300톤 / 월
플라즈마 공정 나노 소재
공정·설비 전문 기술
사양의 재현성을 위한 설비.
제트밀과 분급으로 마이크로미터 영역의 입도분포를 관리합니다. 구형·나노 실리카에는 각 소재에 맞는 형성 공정을 적용한 후 분급·불순물 분석·입자 검증을 진행합니다.
- 01자체 제트밀
외부 위탁 가공에만 의존하지 않고 마이크로미터 영역의 입도분포를 설계합니다.
- 02분급·해쇄
각 소재 형성 단계 후 입도 분포의 조대 입자 영역·미분·유효 입도 분포를 관리합니다.
- 03열처리·플라즈마 제조 방식
제품에 필요한 공정으로 구형 형상 또는 나노 크기 구조를 형성합니다.
- 04분석 결과 피드백
불순물·입자 데이터를 다음 생산 배치 조정에 반영합니다.
용도별 선정
각 제품군은 고객 공정에서 서로 다른 역할을 합니다.
같은 SiO₂ 조성이라도 기능은 크게 달라질 수 있습니다. 후속 공정의 수지·충전율·분산 방법·신뢰성 요구·인수 시험에 따라 최종 선정합니다.
청정 조성 우선
- 전자 소재용 필러
- 정밀 세라믹계
- 고사양 복합재
- 엄격한 오염 관리가 필요한 배합
유동성·충전성 우선
- 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)
- 동박적층판(CCL)
- 언더필·포팅재
- 고충전 수지 배합
나노 크기의 상호작용 우선
- 실리콘 봉지재용 필러
- 리튬 전지 양극 소재 개질
- 생체모사 로봇 피부
- 고속 통신용 적층판·포토레지스트·의료용 소재·CMP 연마 슬러리
적용 분야는 개발·검증 방향을 나타냅니다. 상용 사용에는 고객의 실제 시스템에서 등급별 시험이 필요합니다.
플라즈마 고온 폭연법
석영사에서 나노 실리카로.
당사의 물리적 제조 방식은 자체 석영 자원, 고순도 석영사 생산, 20 nm 구형 실리카의 상업 규모 생산을 연결합니다. 실리카 블룸(硅花)은 공정 중 형상을 보여 주며, 공급 분말은 느슨하게 응집된 상태입니다.
최종 공급 등급구형 나노 실리카
20 nm 나노 실리카 분말
순도 99.9997%, 자료 기재 입자 크기 범위 15.9–41.97 nm. 전체 원소 분석·비표면적 데이터를 기술 검토용으로 확인할 수 있습니다.
- 01회수
- 02해쇄
- 03분급·검증
기술 상담
공정에 필요한 석영의 조건을 알려 주세요.
용도·목표 조성·입도 범위·예상 수량을 알려 주세요. 담당 팀이 다음 진행 단계를 안내합니다.
요구 사항 상담 →