01 / 成分与粒度控制
高纯硅微粉
将高纯原料微粉化并分级，同时控制加工污染。产品需通过痕量元素和粒度分布检测评估，不能仅凭白度或单一标称粒径判断。
核心控制 · 杂质组成 · D10/D50/D90 · 粗颗粒尾部 · 批次一致性
高纯 · 球形 · 等离子体法纳米
高纯、球形与纳米二氧化硅粉。
采用高纯原料，配合自有研磨分级设备及热处理或等离子体工艺，生产三类硅微粉，并按用途控制杂质、粒度和形貌。
产品类别3 类
球形纳米粉体粒径20 nm
纳米元素检测39 项元素
核心粉体设备气流磨 + 分级
综合技术能力
关注粒度，也关注材料性能。
结合高纯原料、研磨分级设备、热工与等离子体工艺，以及自有实验室检测，开发适合不同用途的三类硅微粉。
02 / 形貌与堆积
球形硅微粉
通过形貌控制与粒度分级，评估球形度、多峰分布、流动性及树脂相容性，满足高填充电子封装和覆铜板配方需求。
核心控制 · 球形度 · 堆积密度 · 流动性 · 超大颗粒控制 · 表面相容性
03 / 等离子体与纳米结构
纳米二氧化硅粉
采用自有石英矿加工的高纯砂，通过等离子高温爆燃法量产20 nm球形二氧化硅，纯度99.9997%。
20 nm球形二氧化硅 · 99.9997%纯度 · 物理制备工艺球形粉体 · 等离子高温爆燃法
纳米二氧化硅粉
以自有石英矿加工的高纯砂为原料，采用物理工艺量产20 nm球形二氧化硅，纯度99.9997%。自有矿源与规模化制备相结合，有助于控制生产成本。
- SiO₂纯度
- 99.9997%
- 球形粉体粒径
- 20nm
- BET比表面积
- 204.8413m²/g
- 粒径范围
- 15.9–41.97nm
从矿源到纳米粉体
以高纯石英砂为原料，采用物理工艺制备
采用等离子高温爆燃法制备，有别于传统的四氯化硅火焰水解工艺。成品粉体呈疏松团聚状态，资料列示的粒径范围为15.9–41.97 nm。
- 01自有石英矿
- 02高纯石英砂
- 03等离子高温爆燃
- 04纳米二氧化硅粉
元素检测数据
39项元素 · 单位ppb| 元素 | ppb | 元素 | ppb |
|---|---|---|---|
| Ag | 0.48 | K | 26.79 |
| Al | 218.44 | Li | 4.75 |
| As | <0.10 | Mg | 22.01 |
| Au | <0.10 | Mn | 0.82 |
| B | 39.18 | Mo | 0.67 |
| Ba | 15.87 | Na | 38.72 |
| Be | <0.10 | Nb | 0.22 |
| Bi | <0.10 | Ni | 1.75 |
| Ca | 129.36 | Pb | <0.10 |
| Cd | <0.10 | Sb | 0.33 |
| Ce | 0.15 | Sn | 1.05 |
| Co | 4.73 | Sr | 0.31 |
| Cr | 36.78 | Th | <0.10 |
| Cu | 13.24 | Ti | 76.34 |
| Fe | 159.01 | Tl | <0.10 |
| Ga | <0.10 | U | <0.10 |
| Ge | 0.79 | V | 0.36 |
| Hf | 0.20 | W | 48.83 |
| In | <0.10 | Zn | 3.52 |
| Zr | 5.56 |
企业提供的代表性样品检测数据，数值、ppb单位与“<0.10”标记按原表保留。
样品结构与比表面积
晶系、晶胞参数及计算密度按公司提供的代表性样品资料列示。
- 颗粒形貌
- 疏松团聚状态的纳米粉体
- 晶系
- 单斜晶系
- 晶胞参数
- a = 18.52400 Å · b = 5.00320 Å · c = 23.81000 Å · β = 105.820°
- 晶胞体积
- 2123.11 ų
- 计算密度
- 2.260 g/cm³
- 单点比表面积
- 198.8447 m²/gP/P₀ = 0.296115197
- Langmuir比表面积
- 320.6499 m²/g
- BET比表面积
- 204.8413 m²/g
主要应用
- 有机硅封装填充
- 锂电正极改性
- 机器人仿生皮肤
- 高速覆铜板
- 光刻胶
- 医用材料
- CMP抛光液
现有月产能
配套生产能力，支持规模化供货。
高纯与球形产品采用硅微粉生产设备，等离子体法纳米二氧化硅设有独立生产能力。
硅微粉
800吨 / 月
高纯与球形牌号开发
纳米二氧化硅
300吨 / 月
等离子体法纳米材料工艺
技术与设备优势
通过加工控制与检测，保持产品指标稳定。
气流磨与分级设备用于控制微米级粒度分布。球形和纳米二氧化硅采用各自适用的成形工艺，再通过分级、杂质检测及颗粒表征确认产品指标。
- 01自有气流粉碎设备
采用自有设备控制微米级粒度分布，减少委托加工环节。
- 02分级与解聚
粉体成形后，通过分级控制粗颗粒与细粉含量，保持目标粒度范围。
- 03热工与等离子体工艺
根据产品要求形成球形形貌或纳米结构。
- 04检测反馈
利用杂质与粒度数据优化后续生产批次。
按应用选型
不同产品类别，满足不同工艺需求。
同为SiO₂，不同产品在配方中的作用可能不同。选型需结合树脂体系、填充量、分散方法、可靠性要求及验收测试。
重点控制杂质含量
- 电子材料填料
- 精密陶瓷体系
- 高规格复合材料
- 严控污染的配方体系
重点评估流动与堆积性能
- 环氧塑封料
- 覆铜板
- 底部填充与灌封体系
- 高填充树脂配方
重点评估纳米颗粒的作用
- 有机硅封装填充
- 锂电正极改性
- 机器人仿生皮肤
- 高速覆铜板、光刻胶、医用材料与CMP抛光液
以上为开发与验证方向。用于实际生产前，仍需在客户配方或工艺中对具体牌号完成测试。
等离子高温爆燃法
从高纯石英砂，到纳米二氧化硅粉。
采用自有石英矿加工的高纯砂，通过等离子高温爆燃法量产20 nm球形二氧化硅。“硅花”为工艺中的形貌，成品纳米粉体呈疏松团聚状态。
最终供货产品球形纳米二氧化硅
20 nm纳米二氧化硅粉
纯度99.9997%，资料列示粒径范围为15.9–41.97 nm。可提供元素、晶体结构和比表面积数据供技术评估。
- 01收集
- 02解聚
- 03分级与检验
技术交流
为您的工艺，选择合适的石英材料。
请提供产品用途、目标成分、粒度范围和预计用量，我们将安排产品或技术团队与您沟通。
沟通需求 →